பொடிகளுக்கு இடையில் வான் டெர் வால்ஸ் விசைகளைக் குறைக்க எந்த சிதறல் மருந்து மிகவும் பொருத்தமானது?

பொடிகளுக்கு இடையில் வான் டெர் வால்ஸ் விசைகளைக் குறைக்க, ஸ்டெரிக்லி ஹண்டர்டு டிஸ்பெர்சண்டுகள் (பாலிமர்கள் அல்லது கிராஃப்ட் கோபாலிமர்கள் போன்றவை) மிகவும் பயனுள்ள தேர்வாகும். அவை துகள் மேற்பரப்பில் ஒரு இயற்பியல் தடையை உருவாக்குவதன் மூலம் மூலக்கூறுகளுக்கு இடையேயான ஈர்ப்பை நேரடியாக பலவீனப்படுத்துகின்றன. குறிப்பிட்ட தேர்வு சிதறல் ஊடகம் (நீர் அல்லது கரிம கரைப்பான்) மற்றும் பொடியின் பண்புகளைப் பொறுத்தது.

I. நீர் அல்லாத அமைப்புகள்: ஸ்டெரிக் தடைசெய்யப்பட்ட சிதறல்கள் விரும்பப்படுகின்றன.

கரிம கரைப்பான்கள் அல்லது துருவமற்ற சூழல்களில், பாலிஎதிலீன் கிளைக்கால் (PEG (பெக்)) அல்லது பாலிமெத்தில் மெதக்ரிலேட் (பி.எம்.எம்.ஏ.) சிதறல்கள் நீண்ட சங்கிலி மூலக்கூறுகள் மூலம் துகள் மேற்பரப்பில் ஒரு உறுதியான பூச்சு அடுக்கை உருவாக்க முடியும். துகள்களுக்கு இடையேயான தூரம் பூச்சு அடுக்கு தடிமன் (2δ) ஐ விட இரண்டு மடங்கு குறைவாக இருக்கும்போது, ​​இந்த பாலிமர் சங்கிலிகள் வலுவான ஸ்டெரிக் விரட்டலை உருவாக்குகின்றன, ஆற்றல் தடை 25 கேடி ஐ விட அதிகமாக இருக்கும் (k என்பது போல்ட்ஸ்மேன் மாறிலி, T என்பது முழுமையான வெப்பநிலை), வான் டெர் வால்ஸ் ஈர்ப்பை எதிர்க்க போதுமானது.

உதாரணமாக, பூச்சுத் துறையில், BYK (பெரிய நகரம்)-110 (மாற்றியமைக்கப்பட்ட பாலிஅக்ரிலேட்) சேர்ப்பது டைட்டானியம் டை ஆக்சைடு சிதறல்களின் பாகுத்தன்மையை 40% குறைக்கலாம். இது துகள் மேற்பரப்பில் அதன் மூலக்கூறு சங்கிலிகளால் உருவாக்கப்பட்ட முப்பரிமாண பாதுகாப்பு அடுக்கு காரணமாகும், இது வான் டெர் வால்ஸ் விசை தொடர்பு தூரத்தை 10 என்எம் இலிருந்து 3 என்எம் க்குக் கீழே சுருக்குகிறது.

இரண்டாம். நீர் அமைப்புகள்: மின்னியல் மற்றும் ஸ்டெரிக் தடைகளின் ஒருங்கிணைந்த விளைவுகள்.

நீர் ஊடகத்தில், அயனி சிதறல்கள் (எ.கா. சோடியம் சிட்ரேட், பாலிகார்பாக்சிலேட்) இரட்டை பொறிமுறையின் மூலம் வான் டெர் வால்ஸை பலவீனப்படுத்துகின்றன: அவற்றின் துருவக் குழுக்கள் (எ.கா. -தலைமை செயல் அதிகாரி⁻) துகள் மேற்பரப்பில் உறிஞ்சி, சார்ஜ் செய்யப்பட்ட இரட்டை அடுக்கை உருவாக்கி, மின்னியல் விரட்டலை உருவாக்குகின்றன; அதே நேரத்தில், துருவமற்ற பகுதிகள் (எ.கா. கார்பன் சங்கிலிகள்) தண்ணீருக்குள் நீண்டு, ஸ்டெரிக் தடையை உருவாக்குகின்றன.

கால்சியம் பாஸ்பேட் நானோ துகள்களுடன் ஒரு உதாரணத்தைக் கொடுக்க, சோடியம் சிட்ரேட்டைச் சேர்ப்பது துகள் மேற்பரப்பு ஜீட்டா திறனை -15 எம்வி இலிருந்து -45 எம்வி ஆகக் குறைக்கும், இதனால் மின்னியல் விரட்டும் விசையை மூன்று மடங்காக அதிகரிக்கும். தவிர, சிட்ரேட்டின் ஹைட்ராக்சைல் குழுக்கள் துகள் மேற்பரப்புடன் ஹைட்ரஜன் பிணைப்புகளை உருவாக்குகின்றன, இது ஸ்டெரிக் தடையை மேலும் பெருக்குகிறது, இறுதியாக மொத்த துகள் அளவு 500 என்எம் இலிருந்து 80 என்எம் ஆகக் குறைக்கப்படுகிறது.

III வது. தீவிர காட்சிகள்: அல்ட்ராஃபைன் பவுடர்-உதவி சிதறல்

மென்மையான மேற்பரப்பு கொண்ட கெல்டார்ட் A-வகை துகள்களுக்கு (எ.கா., தொழில்துறை வினையூக்கிகள்), துகள் அளவு <2 μm (எ.கா., நானோ-சிலிக்கா) கொண்ட அல்ட்ராஃபைன் பொடிகளைச் சேர்ப்பது dddh

அறிக்கையின்படி, 0.015 என்ன% அல்ட்ராஃபைன் பவுடரைச் சேர்ப்பதன் மூலம் மட்டுமே வினையூக்கி படுக்கையின் திரவமாக்கல் செயல்திறனை மேம்படுத்தவும், சேனல்கள் மற்றும் தேக்கத்தைத் தவிர்க்கவும், பல நூறு மணிநேரங்களுக்கு இந்த விளைவைத் தக்கவைக்கவும் முடியும்.

நான்காம். சிதறல் செயல்திறன் ஒப்பீடு மற்றும் தேர்வு வழிகாட்டி

நடைமுறை பயன்பாடுகளில், சிதறல் செறிவு முக்கியமான மைக்கேல் செறிவை (சி.எம்.சி.) மீறுவதை உறுதி செய்வது முக்கியம். எடுத்துக்காட்டாக, சிமென்ட் பேஸ்டில் பாலிகார்பாக்சிலேட்டின் உகந்த சேர்க்கை அளவு தூள் வெகுஜனத்தில் 0.5-1.0% ஆகும், அந்த நேரத்தில் மூலக்கூறு சங்கிலிகள் முழுமையாக நீட்டிக்கப்பட்டு, ஸ்டெரிக் தடை விளைவை அதிகப்படுத்துகிறது. கூடுதலாக, பல-கூறு தூள் அமைப்புகளுக்கு, இரண்டு சிதறல்கள் (சோடியம் சிட்ரேட் + PEG (பெக்) போன்றவை) இணைந்து பயன்படுத்தப்படலாம், இது வான் டெர் வால்ஸ் விசைகளை அவற்றின் அசல் மதிப்பில் 1/5 க்கும் குறைவாகக் குறைக்கும், நிலைமின்னியல்-ஸ்டெரிக் சினெர்ஜிஸ்டிக் விளைவைப் பயன்படுத்துவதன் மூலம்.